도시바, 급속충전기용 MOSFET 신규 개발
도시바, 급속충전기용 MOSFET 신규 개발
도시바, 급속 충전기용 4.5V 논리 레벨 드라이브를 지원하는 100V N-채널 파워 MOSFET 출시
- 정도환 기자
- 등록 2017.01.12 12:04
- 조회수 623
도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)(도쿄증권거래소: 6502) 스토리지/디바이스 솔루션 컴퍼니(Storage & Electronic Devices Solutions Company)가 11일 급속 충전기용 4.5V 논리 레벨 드라이브를 지원하는 100V N-채널 파워 MOSFET를 추가해 저전압 N-채널 파워 MOSFET 라인업을 확장했다. ‘U-MOS VIII-H 시리즈’의 MOSFETs 두 신제품, ‘TPH4R10ANL’과 ‘TPH6R30ANL’의 출하는 11일 시작됐다.
급속 충전기의 확산과 발전으로 2차 정류기에 사용되는 파워 MOSFET은 고성능이 요구된다. 신제품 MOSFET은 도시바의 저전압 트렌치 구조 프로세스를 사용해 업계 선도급[1]의 낮은 On-저항과 고속 성능을 달성했다.
구조는 ‘RDS(ON) * Qsw’ [2]용 성능지수를 낮추어 스위칭 어플리케이션을 개선했다. 출력 부담을 줄여 출력 손실을 개선해 더 높은 세트 효율성에 기여할 수 있다. 또한 4.5 V 논리 레벨 드라이브에 대한 지원으로 컨트롤러 IC로부터 버퍼 없는 드라이브를 만들어 시스템의 전략 소비를 줄이는 데 기여했다.
또한 새 제품은 USB 3.0 관련 애플리케이션에서 요구되는 고출력과 전압 파워 서플라이에 대응할 수 있다. 새로운 MOSFET은 급속 충전과 스위치 모드 파워 서플라이, 서버와 커뮤니케이션 장비용 DC-DC 컨버터를 포함한 애플리케이션에 적합하다.
새 MOSFET의 주요 사양(pdf 참조. 다운로드: https://goo.gl/qlDp6H)
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급속 충전기의 확산과 발전으로 2차 정류기에 사용되는 파워 MOSFET은 고성능이 요구된다. 신제품 MOSFET은 도시바의 저전압 트렌치 구조 프로세스를 사용해 업계 선도급[1]의 낮은 On-저항과 고속 성능을 달성했다.
구조는 ‘RDS(ON) * Qsw’ [2]용 성능지수를 낮추어 스위칭 어플리케이션을 개선했다. 출력 부담을 줄여 출력 손실을 개선해 더 높은 세트 효율성에 기여할 수 있다. 또한 4.5 V 논리 레벨 드라이브에 대한 지원으로 컨트롤러 IC로부터 버퍼 없는 드라이브를 만들어 시스템의 전략 소비를 줄이는 데 기여했다.
또한 새 제품은 USB 3.0 관련 애플리케이션에서 요구되는 고출력과 전압 파워 서플라이에 대응할 수 있다. 새로운 MOSFET은 급속 충전과 스위치 모드 파워 서플라이, 서버와 커뮤니케이션 장비용 DC-DC 컨버터를 포함한 애플리케이션에 적합하다.
새 MOSFET의 주요 사양(pdf 참조. 다운로드: https://goo.gl/qlDp6H)
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